闩锁效应 🛡️

闩锁效应是一种在电子学中常见的现象，特别是在集成电路（IC）设计中。这种效应会导致电路在特定条件下失去正常工作能力，甚至可能损坏设备。闩锁效应通常发生在CMOS（互补金属氧化物半导体）电路中，当电源电压出现异常时，PN结形成寄生晶闸管结构，从而导致电流失控。

为了避免闩锁效应带来的损害，工程师们需要采取一些预防措施，例如优化电路布局和选择合适的元件。此外，在设计阶段进行仔细的模拟和测试也是至关重要的，以确保电路能够在各种工作条件下稳定运行。通过这些方法，可以大大减少闩锁效应的发生概率，提高设备的可靠性和寿命。